一种基于0．18μm CMOS工艺的高响应度APD

摘要：

设计了一种基于0．18μm CMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管（APD）。该APD采用标准0．18μm CMOS工艺，设计了两个P＋／N 阱型pn节，形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI（浅沟道隔离）结构形成保护环，有效地抑制了APD的边缘击穿；并且新增加一个深N阱结构，使载流子在扩散到衬底之前被大量吸收，屏蔽了衬底吸收载流子产生的噪声，用以提高器件的响应度。通过理论分析，确定本文所设计的CMOS－APD器件光窗口面积为10μm ×10μm，并得到了器件其他的结构和工艺参数。仿真结果表明：APD工作在480 nm波长的光照时，量子效率达到最高90％以上。在加反向偏压－15 V时，雪崩增益为72，此时响应度可达到2．96 A／W，3 dB带宽为4．8 GHz。

关键词：CMOS-APD、雪崩增益、响应度、带宽

所属期刊栏目：47

分类号：TN364.2(半导体技术)

在线出版日期：2017-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：62-66