高Al组分In1－xAlxSb／InSb的MBE生长研究

摘要：

高 Al（10％～15％）组分的 In1－xAlx Sb 层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对 InSb（100）衬底高 Al 组分的 In1－x Alx Sb／InSb 外延生长进行了实验探索，确定出了 Al 组分（约12．5％）并讨论了 Al 组分梯度递变的 In1－x Alx Sb 缓冲层和生长温度对外延薄膜质量的影响。

关键词：InSb(1 00)、高铝、InAlSb、薄膜生长

所属期刊栏目：46

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2016-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：977-980