InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究

摘要：

传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展.基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦平面制备工艺的干法刻蚀技术.

关键词：电感耦合等离子体(ICP)、锑化铟、台面刻蚀、刻蚀速率、刻蚀形貌

所属期刊栏目：46

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2016-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：72-75