InSb分子束外延原位掺杂技术研究

摘要：

对InSb分子束外延薄膜的本征掺杂、N型掺杂以及P型掺杂进行了研究，其中分别以Be作P 型以及以Si、Te作N 型的掺杂剂。实验采用半绝缘的GaAs衬底作为InSb分子束外延用衬底，通过采用低温生长缓冲层技术降低大失配应力，获得高质量InSb外延膜。实验样品采用霍尔测试以及SIMS测试掺杂浓度和迁移率分析掺杂规律、掺杂元素偏聚和激活规律的影响因素。

关键词：分子束外延、N型掺杂、P型掺杂、本征掺杂

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：817-820