10.3969/j.issn.1001-5078.2015.07.017
平面PN结InSb红外焦平面探测器的研究
研究了基于Be离子注入技术的平面型和Cd扩散技术的台面型锑化铟红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片工艺流程。并进行了芯片I-V、成像结果等对比测试,Be离子注入平面型器件和扩散台面型芯片的性能水平相当,具备一定的工程应用水平。
锑化铟、离子注入、红外焦平面阵列探测器、平面结
TN213(光电子技术、激光技术)
2015-08-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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