1.3μm InGaAsSb／GaAsSb 量子阱激光器有源区结构设计

摘要：

为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器，对压应变 InGaAsSb ／GaAsSb 量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克－潘纳模型，确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于 Lastip 软件建立了条宽为50μm、腔长为800μm 的半导体激光器仿真模型，模拟器件的输出特性，讨论了量子阱个数对器件光电特性的影响。结果表明：当量子阱组分为 In0.44 Ga0.56 As0.92 Sb0.08／GaAs0.92 Sb0.08、阱宽为9 nm、量子阱个数为2时，器件的性能达到最佳，阈值电流为48 mA，斜率效率为0.76 W／A。

关键词：半导体激光器、InGaAsSb /GaAsSb、量子阱、有源区

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目No.61006039，No.61370043；吉林省科技发展计划No.20121816， No.201201116；高功率半导体激光国家重点实验室基金No.9140C310101120C031115资助课题。

在线出版日期：2015-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：505-508