10.3969/j.issn.1001-5078.2014.10.010
低Al组分In1-x Alx Sb薄膜的MBE生长和优化
采用分子束外延的方法进行了低Al组分In1-xAlxSb 薄膜的生长和优化。通过在InSb (100)衬底上外延生长一系列不同条件的In1-xAlxSb薄膜,分析总结了衬底的热脱氧特征以及InAlSb薄膜低Al组分(2%左右)的控制,探讨了退火和InSb缓冲层的优化等参数对In1-xAlxSb外延薄膜表面形貌和质量的影响。测试结果表明薄膜质量得到极大改进。
InSb(1 00)、铝、InAlSb、薄膜生长、优化
TN213(光电子技术、激光技术)
2014-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1115-1118