低Al组分In1-x Alx Sb薄膜的MBE生长和优化
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1001-5078.2014.10.010

低Al组分In1-x Alx Sb薄膜的MBE生长和优化

引用
采用分子束外延的方法进行了低Al组分In1-xAlxSb 薄膜的生长和优化。通过在InSb (100)衬底上外延生长一系列不同条件的In1-xAlxSb薄膜,分析总结了衬底的热脱氧特征以及InAlSb薄膜低Al组分(2%左右)的控制,探讨了退火和InSb缓冲层的优化等参数对In1-xAlxSb外延薄膜表面形貌和质量的影响。测试结果表明薄膜质量得到极大改进。

InSb(1 00)、铝、InAlSb、薄膜生长、优化

TN213(光电子技术、激光技术)

2014-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1115-1118

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

激光与红外

1001-5078

11-2436/TN

2014,(10)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn