分子束外延 InSb 薄膜缺陷分析

摘要：

实现高温工作已经成为了第三代红外探测器的重要发展方向。为了达到这个目标，首先要降低探测器材料的各种缺陷。本文主要研究了不同生长条件对 InSb 分子束外延薄膜的晶体质量的影响，并采用金相显微镜、X 射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜及 X 射线能谱仪等检测手段对外延膜缺陷进行了研究，综合分析了各缺陷的特征、起因、消除方法等。通过优化外延条件，外延膜宏观生长缺陷最低值达到483 cm -2。

关键词：InSb、缺陷、MBE、薄膜材料

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2014-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1007-1010