表面预处理对InSb钝化层界面的影响

摘要：

本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理，来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方法预处理制备的钝化结构的电学特性。结果表明等离子预处理能明显改善InSb 衬底和钝化层之间的界面性能，尤其是选用N2 O等离子预处理InSb衬底表面，在控制界面陷阱和减少钝化层固定电荷方面，效果更明显，有利于提高InSb红外器件的可靠性。

关键词：InSb、钝化、预处理、C-V

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2014-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：902-905