10.3969/j.issn.1001-5078.2014.08.015
表面预处理对InSb钝化层界面的影响
本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理,来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方法预处理制备的钝化结构的电学特性。结果表明等离子预处理能明显改善InSb 衬底和钝化层之间的界面性能,尤其是选用N2 O等离子预处理InSb衬底表面,在控制界面陷阱和减少钝化层固定电荷方面,效果更明显,有利于提高InSb红外器件的可靠性。
InSb、钝化、预处理、C-V
TN213(光电子技术、激光技术)
2014-09-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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