基于热扩散制备平面PN结InSb红外焦平面芯片

摘要：

研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN 结的红外焦平面阵列（IRFPA）探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程，选择了等离子增强化学气相淀积（PECVD）淀积的非晶氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiON）薄膜作为扩散工艺中的掩膜材料。在此基础上制备出了具有较好的I-V特性曲线的焦平面芯片。

关键词：锑化铟、红外焦平面阵列探测器、平面PN结、热扩散

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2014-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：757-762