锑基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术

摘要：

InAs/GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势，成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一。本文报道了中波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的设计、生长、器件工艺技术，制备出了高性能的128×128中波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器，像元暗电流密度降到1.8×10-7 A/cm2，量子效率达36.64％。

关键词：InAs/GaSbⅡ类超晶格、128×128、像元暗电流密度、量子效率

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2014-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：258-260