CMOS工艺APS阵列的近红外响应及参数分析

摘要：

采用DevEdit3D构建了5×5的像元结构模型，在基于Lnuminous1μm的近红外的照射下，利用SilvacoTCAD仿真了像元中心距、阱深、衬底掺杂浓度等工艺参数对其电荷收集量和像元串扰程度的影响。仿真测得电荷收集量随像元中心距和阱深的增大而增大，随衬底掺杂浓度的增大而减小；像元间串扰程度与像元中心距的大小以及阱深的深度成反比，与衬底掺杂浓度的大小成正比。最后对以上影响的成因进行了理论分析。

关键词：SilvacoTCAD、像元中心距、阱深、衬底掺杂浓度

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金项目No.61071043；重庆市自然科学基金项目CSTC，2010BB0075资助。

在线出版日期：2014-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：172-174