10.3969/j.issn.1001-5078.2014.02.001
InAs/GaSbII型超晶格红外探测器的研究进展
InAs/GaSbII型超晶格材料理论上性能优于HgCdTe、InSb等红外探测材料,基于成熟的III-V族化合物材料与器件工艺,使得II型超晶格材料容易满足均匀大面阵、双色或多色集成等红外探测器的要求,因而InAs/GaSbII型超晶格材料将逐步替代HgCdTe、InSb等材料成为第三代红外探测器的首选材料。本文阐述了InAs/GaSb超晶格红外探测器的基本原理、以及材料生长和器件结构,并对其研究进展进行了综述性介绍。
II类超晶格、红外材料、红外探测器
TN215(光电子技术、激光技术)
2014-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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