10.3969/j.issn.1001-5078.2014.01.009
碲镉汞长波探测器暗电流优化模拟
报道了利用Silvaco软件对Hg1-xCdxTe (x=0.22)n-on-p型长波探测器的模拟仿真结果。采用二维简化pn结模型,以品质因子R0 A为标准,模拟计算了载流子寿命、缺陷密度、表面态、p区受主浓度、p区厚度、n区厚度宽度对暗电流的影响,得出在良好的品质因子范围内各个参量可以接受的范围。并针对重要参量利用软件对其复合速率,电流分布,载流子浓度等进行了详细模拟分析,为探测器设计制备提供了参考。
长波、碲镉汞、Silvaco、暗电流、品质因子
TN215(光电子技术、激光技术)
2014-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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