InSb薄膜分子束外延技术研究

摘要：

InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料.而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础.本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析,并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证,结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求.

关键词：InSb外延膜、分子束外延、晶体质量、128×128

所属期刊栏目：43

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2013-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1256-1259