低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究

摘要：

利用传输线方法(TLM)重点研究了低掺杂浓度(2×1017at/cm3)n型GaAs接触层的欧姆接触,通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数,获得了最优化的制备条件:AuGe/Ni/Au的厚度为50nm/25nm/100 nm,退火温度为400℃,退火时间为120s时,欧姆接触电阻率为最低3.52×10-4Ωcm-2,这一结果为量子阱结构太赫兹探测器芯片的制备奠定了基础.

关键词：n型GaAs、欧姆接触、低掺杂浓度

所属期刊栏目：43

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2013-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1252-1255