碲镉汞双色材料技术发展及现状

摘要：

介绍了从1990年至今国外主要科研机构在HgCdTe双色材料方面的发展及其现状.重点从材料结构和性能两个方面介绍各研究机构的技术路线.当前HgCdTe双色材料的发展方向是高性能、大尺寸、低成本.但各研究机构的技术路线各不相同,不论是Raytheon的n-p-n结构、DRS的HDVIP还是法国的准平面结构,都是根据自身的技术特色,开发适合自身特色的HgCdTe双色材料结构.

关键词：碲镉汞、双色、材料技术

所属期刊栏目：43

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：859-863