CdTe/Si复合衬底Ex-situ退火研究

摘要：

复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是确保硅基碲镉汞走上工程化的关键所在.降低复合衬底CdTe/Si位错密度方法一般有:生长超晶格缓冲层、衬底偏向、In-situ退火和Ex-situ退火等,本文主要研究Ex-situ退火对复合衬底CdTe/Si晶体质量的影响.研究表明复合衬底经过Ex-situ退火后位错密度最好值达4.2×105 cm-2,双晶半峰宽最好值达60arcsec .

关键词：CdTe/Si、MBE、晶体质量、Ex-situ退火

所属期刊栏目：42

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2012-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：917-920