中红外区基质折射率对碳化硅颗粒散射强度的影响

摘要：

基于Mie散射理论,对不同基质中的碳化硅材料散射强度进行数值计算与理论分析,得到了中红外波段反常色散区和正常色散区中散射强度的分布特征,揭示了入射波长、基质折射率与散射强度分布的内在规律.研究结果为该材料在中红外区的开发和应用提供了理论依据.

关键词：反常色散、正常色散、Mie散射、散射强度、SiC

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分类号：O433.4(光学)

资助基金：山东省优秀中青年科学家科研奖励基金项目2008BS01021;枣庄市科技攻关计划项目201031-2;2008年枣庄学院科技计划项目资助

在线出版日期：2012-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1359-1363