高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件

摘要：

采用LP-MOCVD方法生长并制作了GaAs基底肖特基势垒的MSM光电自混频器件.器件为面阵式结构,象元数目为32×32.对器件的光电参数进行测试分析,器件的响应度在偏压为3V时,达到8.25 A/W,暗电流小于18 nA,对应的光电流密度为59.1 μA/cm2,单点饱和输入光功率为1μW.测试瞬态响应,器件响应峰值上升沿为212 ps,半峰宽372 ps,对应响应频率大于1.65 GHz,具有很好的应用前景.

关键词：光电集成、光电自混频器、金属有机气象外延、GaAs-MSM

所属期刊栏目：41

分类号：TN362(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60707018;西部之光2005ZD01

在线出版日期：2011-12-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：925-928