三代半导体材料构成光子晶体能态密度的研究

摘要：

基于光子晶体广泛应用,本文利用平面波展开法研究了三代半导体材料构成三角晶格光子晶体能态密度分布规律.得到了当Si作为背景材料构成光子晶体在f=0.25时构成最大光子禁带.AlP作为背景材料构成光子晶体在f=0.24时构成最大光子禁带.GaN作为背景材料构成光子晶体在f=0.3时构成最大光子禁带.三代半导体构成光子晶体对应最大光子晶体禁带宽度较第一二代逐渐增大,研究结果为光子晶体器件的构造提供理论依据.

关键词：光子晶体、平面波展开法、能态密度分布

所属期刊栏目：40

分类号：O731(晶体物理)

资助基金：山东省2009年高等学校科技计划项目J09LG56;枣庄市科学技术发展计划项目200926-5;枣庄学院2008年度青年科研计划项目2008QN29

在线出版日期：2010-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：892-895