10.3969/j.issn.1001-5078.2010.06.011
反应离子刻蚀InSb芯片引入的损伤研究
应用CH4/H2/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析.实验证实利用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的方法能有效地减少刻蚀引入的缺陷和损伤,获得较好的电学特性,达到低损伤刻蚀InSb材料的目的.
反应离子刻蚀、InSb、刻蚀损伤、I-V曲线
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TN214(光电子技术、激光技术)
2010-08-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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