近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响

摘要：

采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In_0.53Ga_0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In_0.53Ga_0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素.研究结果表明,探测器的暗电流、噪声与台面面积是成线性关系的,而信号与台面面积则不是线性关系.探测器的台面可分为光敏区和光敏区外部分,光敏区外部分对暗电流、噪声的贡献与光敏区是一致的,但对信号的贡献这两部分则是不一致的,这主要是由于衬底反射和器件之间的沟道光生载流子的侧向扩散所造成的.

关键词：近红外InGaAs探测器、台面结构、器件性能

所属期刊栏目：40

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金重点项目50632060;中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目C2-32;C2-50

在线出版日期：2010-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：169-173