平面型2.6μm InGaAs红外探测器变温特性研究

摘要：

通过闭管扩散方式,在NIN型InP/InO0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性.研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和.在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势.温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制.随着温度的降低,器件的峰值探测率在210 K达到峰值,单元器件约1.7×109 cmHz1/2/W,八元器件约9.4×109 cmHz1/2/W.

关键词：InGaAs红外探测器、产生-复合电流、隧穿电流、暗电流、优值因子、峰值探测率

所属期刊栏目：39

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金重点项目50632060;中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目N0.B2-1,C2-32

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：612-617