10.3969/j.issn.1001-5078.2008.12.015
基于一维缺陷光子晶体的角度测量仪的设计
提出用一维缺陷光子晶体来测量角度特别是小的角度变化的设计方案.用Si薄膜和SiO2薄膜组成一维缺陷光子晶体,用特征矩阵法研究该光子晶体的禁带中的缺陷模的波长和强度随入射角缓慢变化而变化的规律,由此提出根据缺陷模的波长、强度、偏振性与入射角的关系进行角度测量的原理.本设计特别适用于极小的角度变化的测量.
角度测量、一维光子晶体、缺陷模、特征矩阵
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TH741.2+3(仪器、仪表)
2009-02-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1237-1240