InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析

摘要：

根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构.采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1.55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算.对比两种器件的性能,结果分析表明,改进后的器件获得更低的穿通值电压,降低探测器在低偏压下的漏电流,同时得到更大的增益.

关键词：雪崩光电探测器、SACM结构、SAGCM结构、暗电流、增益、APSYS

所属期刊栏目：38

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：科技部重大项目2006CB932802

在线出版日期：2008-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1000-1003