10.3969/j.issn.1001-5078.2008.03.012
InSb阳极氧化膜组分和形貌分析
利用X射线光电子能谱(XPS)分析了不同氧化条件下InSb阳极氧化膜的组成成分以及各种组分纵向分布;用观察在扫描电子显微镜(SEM)不同氧化条件下InSb阳极氧化膜的微观形貌.研究了InSb阳极氧化膜的化学和结构特性及其对自身电学性能的影响.为提高InSb阳极氧化膜制备工艺水平提供了有效参考.
阳极氧化、InSb衬底、电流密度
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TN305.5;TN362(半导体技术)
2008-05-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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