InGaAsP/InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究

摘要：

通过对波长1.3μm InGaAsP/InP的半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命.

关键词：半导体、功率放大、耦合、减反射膜

所属期刊栏目：38

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2008-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：214-215