退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响

摘要：

研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响.研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaN P-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1 A/cm2降为5.7×10-5 A/cm2,串阻由18.01kΩ减小到1.071kΩ,从而优化了AlGaN P-I-N二极管的I-V特性.分析认为这与退火改善接触电极特性,同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关.

关键词：AlGaN P-I-N二极管、退火、欧姆接触、工艺损伤

所属期刊栏目：37

分类号：TN23(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2008-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1283-1286