InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测器的发展

摘要：

InAs/GaSbⅡ型超晶格具有特殊的能带结构,做成的探测器工作波长可覆盖3～30 μm,文中阐明了Ⅱ型超晶格探测器的工作机理,并综述了目前国外利用InAs/GaSbⅡ型超晶格能带结构的特殊性广泛开展对其材料和器件研究的新进展.

关键词：InAs/GaSb、Ⅱ型超晶格、红外探测器

所属期刊栏目：37

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60676039;60477012;国家高技术研究发展计划863计划2202AA313080

在线出版日期：2007-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：699-701