Si基大面积碲镉汞分子束外延研究

摘要：

文章报道了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展.尝试用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找位错密度与双晶半峰宽的对应关系,基本建立了外延材料晶体质量无损检测评价标准,并对外延工艺进行指导.通过上述研究,15～20μm Si基CdTe复合材料双晶半峰宽最好结果为54arcsec,对应位错密度(EPD)小于2×106/cm2,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶水平相当,达到或优于国际最好结果.获得的3in 10μm Si基HgCdTe材料双晶半峰宽最好结果为51arcsec,目前Si基HgCdTe材料已经初步应用于焦平面中波320×240器件制备.

关键词：Si基、碲镉汞、分子束外延、红外焦平面阵列

所属期刊栏目：36

分类号：TN215;TN304.054(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2006-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1051-1053,1056