10.3969/j.issn.1001-5078.2006.11.010
两种结构GaN基太阳盲紫外探测器
分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN/n-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.45Ga0.55N/n+-Al0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器.研究结果表明,Au与i-Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结,响应波长从250~290nm,峰值(286nm)响应率约为0.08A/W;PIN型紫外探测器的响应波长从230~275nm,峰值(246nm)响应率约为0.02A/W.
太阳盲区、肖特基、PIN、紫外探测器
36
TN23(光电子技术、激光技术)
2006-12-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1040-1042