背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

摘要：

文章研究了p-GaN/i-GaN/n-Al0.3Ga0.7N异质结背照式p-i-n可见盲紫外探测器的制备与性能.器件的响应区域为310～365nm,最大响应率为0.046A/W,对应的内量子效率为19%,优值因子R0A达到1.77×108Ω·cm2,相应的在363nm处的探测率D*=2.6×1012cmHz1/2W-1.

关键词：GaN/AlGaN、p-i-n、紫外探测器、响应率

所属期刊栏目：36

分类号：TN23;TN304.2+6(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2006-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1036-1039