碲镉汞深微台面列阵干法隔离的轮廓研究

摘要：

文章报道了碲镉汞(HgCdTe)深微台面列阵干法隔离的轮廓研究的初步结果.采用诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)技术获得的HgCdTe深微台面列阵,在金刚刀解理后,通过扫描电子显微镜(SEM)观察了其干法刻蚀图形的剖面轮廓.进一步研究了刻蚀时间和刻蚀槽开口宽度对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助于深微台面芯片工艺设计的实验结果.

关键词：碲镉汞、ICP增强RIE、深微台面列阵、剖面轮廓

所属期刊栏目：36

分类号：TN215;TN305(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2006-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1029-1031