退火对硫化后的P+型InP表面性能的影响

摘要：

文章采用光致发光(PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳定性随温度的变化的情况.

关键词：光致发光、X射线光电子能谱、硫化

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.2+3;O472+.1(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：894-896