P型氮化镓表面的X射线光电子能谱研究

摘要：

文章研究了P型氮化镓材料表面自然氧化,故意氧化以及盐酸处理等三种不同情况下的X射线光电子能谱(XPS).结果发现800℃下在空气中故意氧化6min后,P型氮化镓材料表面的镓(Ga2p3/2)峰出现较大移动,向高能端移动了0.88eV(与盐酸处理的样品相比),O1s峰向低能方向移动了0.9eV,且镓氮原子含量比最大;在空气中自然氧化和盐酸处理的两个样品峰的移动很小,各个峰的移动大约在0.1eV左右,但是用盐酸处理后的样品的含氧量有所下降,且盐酸处理的样品的镓氮原子含量比最小,镓氮的原子含量比小有利于形成镓空位,而镓空位是受主,这样镓氮原子含量比越小越有利于形成P型氮化镓欧姆接触.

关键词：氮化镓、氧化、光电子能谱分析

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.2;O472.+1(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：883-884,893