高Al含量AlGaN多层外延材料的应变与位错密度研究

摘要：

文中利用X射线三轴衍射测试手段对高Al(x≥0.45)含量p-i-n结构的AlxGa1-xN外延材料进行测试,并结合倒易空间图(RSM)和PV函数法对AlxGa1-xN外延材料进行评价.首先通过对RSM的定性分析,给出多层外延材料中不同Al组分AlxGa1-xN材料的应变状态和位错密度等信息,然后结合PV函数法拟合了从RSM中分离出的摇摆曲线,通过拟合过程准确地计算了多层结构中不同组分的AlxGa1-xN材料的纵向和横向应变量与螺位错密度,测试及计算结果都表明:多层p-i-n结构的AlxGa1-xN外延材料的应变与位错密度与单层结构相差较大,表明层与层之间的应变和位错相互作用对各层的应变的位错密度有重要的影响.

关键词：AlGaN、倒易空间图、应变、PV函数

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.2;TN304.055;O472+.1(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：880-882