10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.022
MOCVD系统中AlN生长速率的研究
文章研究了MOCVD系统中影响AlN生长速率的机制.我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量、TMAl流量等生长参数的关系.实验发现,AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量等参数之间表现出反常的依赖关系.我们认为,MOCVD系统中存在Al原子的寄生反应,导致了反常现象的发生.AlN生长速率与TMAl流量的关系进一步证明了这一点.实验结果表明,较低的生长温度、较小的反应室压力能够有效地提高AlN生长速率,同时也将有利于提高AlGaN材料中的Al组分.
MOCVD、AlN、生长速率、寄生反应
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TN304.055;TN304.2+3(半导体技术)
2005-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
877-879