AlGaN材料的MOCVD生长研究

摘要：

文章研究了AlGaN材料的MOCVD生长机制.在位监控曲线表明,AlGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于Al原子表面迁移率太小,随着TMAl流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着Al组分的增加而下降,AlGaN的表面形貌也变差.随着TMAl流量的增加,AlGaN材料的生长速率反而下降,这是由于Al原子阻止了Ga原子参与材料生长.实验还发现,由于TMAl与NH3之间存在强烈的寄生反应,AlGaN材料中的Al组分远小于气相中的Al组分.文中简单探讨了提高AlGaN材料质量的生长方法.

关键词：AlGaN、MOCVD、材料生长、寄生反应

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.055;TN304.2+6(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：873-876