As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究

摘要：

文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨.同时,对Te、Cd在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究.计算结果表明,单个Cd或Te原子都可以稳定地吸附在清洁表面,但在As钝化表面,难以在钝化区域吸附生长.

关键词：碲镉汞、高密勒指数表面、钝化、吸附、置换

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分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家纳米科学中心资助项目200112;中国科学院资助项目10234040;中国科学院资助项目60476040,60221502;上海市信息化专项基金02DJ14066;上海市信息化专项基金2003F012;科技部科研项目2001CB610407

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：864-866