红外光电子材料碲镉汞异质外延结构理论研究

摘要：

文章介绍了基于第一性原理的LAPW方法就Hg空位缺陷对碲镉汞材料的电子结构的影响进行了研究.首先选择Hg0.5Cd0.5Te体系详细分析了Hg空位引起的弛豫,包含Hg空位缺陷体系的电荷密度、成键电荷密度和态密度,得到了碲镉汞材料形成Hg空位情况下的空位第一近邻阴离子悬挂键重整的形式以及Hg空位所形成的双受主能级.计算发现了Hg空位引起第一近邻Te原子5s态能级向高能端移动的现象.同时,对实验中通常利用As钝化基底表面来有效地控制外延生长的极性进行了研究.本文也介绍了基于密度泛函理论模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步研究探讨.对Cd、Te在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究分析,为外延生长实验中利用As钝化来保证B面极性的做法提供了一定的理论依据.

关键词：碲镉汞、汞空位、第一性原理方法、硅表面重构、砷钝化、镉吸附、碲吸附

所属期刊栏目：35

分类号：O471;TN304.2+5(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划10234040;中国科学院资助项目60221502,60476040;上海市科委资助项目02DJ14066;科技部科研项目2001CB610407

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：837-841