隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究

摘要：

文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究.主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息,并结合增益谱,对该外延片制备的器件不激射的原因进行了分析解释.此外,对该外延片边发射模式特性进行模拟计算,由于DBR结构的存在,此结构的光场强度分布明显不同于普通的边发射激光器,模拟得到的远场发散角与测量结果相吻合.

关键词：垂直腔面发射激光器、边发射、模式、增益谱

所属期刊栏目：35

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院资助项目60276033,69889601;国家高技术研究发展计划863计划2002AA312070;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683-02;北京市自然科学基金4021001

在线出版日期：2005-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：246-249