(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究

摘要：

对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响.根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度.为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础.

关键词：金属有机化合物汽相淀积、AlGaInP、GaInP

所属期刊栏目：35

分类号：TN244(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683-02

在线出版日期：2005-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：181-183