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10.3969/j.issn.1001-5078.2004.06.021

大尺寸氟化物晶体的坩埚下降法生长研究

引用
采用坩埚下降法,在自制的真空炉内石墨坩埚中生长了大尺寸LiF、CaF2和LaF3晶体.生长前,在水平电阻炉内对市售的氟化物原料进行了氟化处理,合成了稳定的无水氟化物多晶料.通过优化生长参数,如适当的炉温分布、合适的晶种以及缓慢的降温速率,成功地生长出尺寸分别为φ110mm×50mm、φ200mm×45mm和φ50mm×50mm的LiF、CaF2和LaF3晶体.

氟化物、坩埚下降法、晶体生长

34

O782(晶体生长)

2005-02-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

467-469

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34

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