Cd扩散对InSb晶体质量的影响

摘要：

InSb材料在Cd扩散后于表面产生了密度较高的小浅坑,对小坑的成分进行了分析,并根据结果对小坑的成因作了初步的推断.实验发现坑中Cd浓度约44%.

关键词：InSb材料、Cd扩散、缺陷

所属期刊栏目：32

分类号：TN204;TN206(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：114-116