垂直腔激光器中弛豫振荡频率的优化控制

摘要：

从垂直腔面发射的半导体激光器(VCSELs)的结构出发,利用增益与载流子密度的广义对数关系,借助小信号分析法,推出了直接调制情形下弛豫振荡频率的严格解析关系.分析指出,量子阱器件的光子寿命并非越短越好,欲提高VCSELs的弛豫振荡频率,除了增加注入电流,提高微分增益等基本途径外,控制器件的结构参数可使弛豫振荡频率达到极大值.同时,自发辐射因子的可控性,以及降低稳态载流子密度,也都是提高VCSELs弛豫振荡频率和拓宽调制带宽的有效措施.

关键词：半导体激光器、垂直腔、弛豫振荡频率、调制带宽

所属期刊栏目：32

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金10174057

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：27-29