磁阻效应增强型锑化铟红外光电传感器

摘要：

发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后,对脉冲变化的红外光的照射,它的输出信号增强了.采用灵敏度K1=3.6,K2=1.02(B=0.3T)的两个磁阻元件,在B=0.15～0.2T偏磁系统中,用峰值波长λp=940nm的红外光脉冲照射,可使输出电压比没有偏磁时增大3倍以上,输出信号电压(S)与本底噪声电压(N)之比为25∶1(S/N=28db).

关键词：磁阻、红外、光电传感器

所属期刊栏目：31

分类号：TP212.1(自动化技术及设备)

资助基金：广东省自然科学基金963058;广东省高新技术产业发展基金98FF01

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：236-237