单晶锗超精密切削表面粗糙度工艺优化与试验研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3788/LOP221420

单晶锗超精密切削表面粗糙度工艺优化与试验研究

引用
为了提高单点金刚切削单晶锗的表面质量,进行了三因素四水平的正交试验,并采用方差分析和极差分析,研究了在单晶锗表面质量分布不均匀条件下表面粗糙度受切削参数的影响.试验结果显示:主轴转速对表面粗糙度值影响明显,而且贡献率最高,主轴转速越大,则表面粗糙度值也越小.获得的最优切削参数组合为主轴转速为3800 r/min、进给速率为2 mm/min、最大切削深度为5 µm.在此切削条件下得到了表面粗糙度为2.4 nm的高精度单晶锗,在扫描电镜下观察其表面质量较好,且表面也比较平滑,切削过程中的切屑呈带状,材料在塑性范围内去除.

材料、单晶锗、单点金刚切削、切削参数、表面粗糙度

60

O484(固体物理学)

2023-11-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

156-162

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

激光与光电子学进展

1006-4125

31-1690/TN

60

2023,60(19)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn