AlGaN紫外激光器量子垒层和n型波导层设计优化
为提高紫外激光器的光电性能,降低阈值电流,提出采用Al组分渐变的量子垒层(QBs)以及Al组分渐变的n型波导层(n-WG)优化标准结构一—参考实验样品设计的AlGaN基紫外激光器结构,使用PICS3D仿真软件,对3种不同的新结构及标准结构进行构建和数值分析.比较了4种结构的L-I-V特性曲线、能带结构、载流子电流密度分布等性质,结果表明,同时采用Al组分渐变的QBs以及Al组分渐变的n-WG的紫外激光器具有更优异的性能:在800 mA注入电流下光输出功率可达775 mW,与标准结构相比提高了 35.7%;阈值电流为62.3 mA,与标准结构相比降低了 73.6%.
激光器与激光光学、AlGaN、紫外激光器、量子垒层、n型波导层、PICS3D
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TN248(光电子技术、激光技术)
国家重点研发计划;国家重点研发计划
2023-05-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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