光腔衰荡法测量硅片掺杂特性的仿真和实验研究

摘要：

光腔衰荡法对腔内介质吸收有着极高的测量灵敏度,可实现腔损耗的精确测量.本文基于自由载流子吸收理论和谐振腔理论,建立了半导体材料特性测量的光腔衰荡理论模型,推导了腔衰荡信号与半导体材料特性参数和光学谐振腔结构参数间的函数关系,并进行了仿真分析和实验验证.仿真结果表明:光腔衰荡法可以实现半导体材料特性的精确测量,如掺杂浓度和电阻率.同时,基于该技术对半导体单晶硅片掺杂浓度和电阻率进行了实验测量,结果分别为(2.65±0.38)×1016 cm-3 和(0.61±0.07)Ω·cm,说明该方法在半导体材料特性测量中具有很好的应用潜力.

关键词：仪器、测量与计量、光学谐振器、半导体材料、激光器、掺杂浓度

所属期刊栏目：60

分类号：O436.2(光学)

资助基金：国家自然科学基金;陕西省自然科学基础研究项目

在线出版日期：2023-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：180-187